Fundamentals of power semiconductor devices

作者：  (美)B. Jayant Baliga著;韩郑生，陆江，宋李梅等译

出版社：电子工业出版社,2013

简介：《功率半导体器件基础》系统介绍了电力电子领域广泛应用的各类功率半导体器件。由浅入深地介绍了器件的基本结构、物理机理、设计原则及应用可靠性，内容以硅功率半导体器件为主，同时也涵盖了新兴的碳化硅功率器件。全书首先从基本半导体理论开始，依次介绍了各类常用的功率半导体器件，采用物理模型分析及数值模拟验证结合的方式，辅助大量翔实的图表数据，帮助读者全面透彻理解功率半导体器件的特性。

Fundamentals of power semiconductor devices

作者：  (美)B. Jayant Baliga著

出版社：科学出版社,2012

简介：　　本书作者是功率半导体器件领域的著名专家，IGBT器件发明人之一。本书结合作者多年的实践经验，深入讨论了半导体功率器件的物理模型、工作原理、设计原则和应用特性，不仅详细介绍了硅基器件，还讨论了碳化硅器件的特性与设计要求。主要内容包括材料特性与输运物理、击穿电压、肖特基整流器、P-i-N整流器、功率MOSFET器件、双极型晶体管、晶闸管、IGBT器件等。