MOS集成电路结构与制造技术
作者： 潘桂忠编著
出版社：上海科学技术出版社,2010
简介： 本书利用集成电路剖面结构技术，系统地介绍MOS集成电路结构和典型
集成电路制造技术，包括PMOS(E/E型、E/D型)、NMOS(E/E型，E/D型)、
CMOS(P-Well、N-Well、Twin-Well)、LV/HV兼容CMOS、BiCMOS、LV/HV兼容
BiCMOS以及LV/HV兼容BCDo书中描绘出组成各种集成电路的各种元器件工艺
剖面结构，从而建立了元器件工艺剖面结构中高达120余种的基本单元库。
根据基本单元库描绘出高达360余种电路芯片工艺剖面结构。然后根据电路
芯片工艺剖面结构和制造技术，介绍了40余种典型集成电路制造技术，并
描绘出工艺制程中各个工序的平面结构和工艺剖面结构。如此深入地展示
电路芯片工艺剖面结构，有助于电路设计、芯片制造、良率提高、产品质
量改进、电路失效分析等。
本书技术含量高，非常实用，可作为从事MOS集成电路设计、制造等方
面工程技术人员的参考资料或者是公司员工培训的教材，也可以作为微电
子专业高年级本科生的重要参考书，同时可供信息领域其他专业的学生和
相关科研人员、工程技术人员参考。
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