Brief introduction to IC process

副标题:无

作   者:田民波编著

分类号:

ISBN:9787302209591

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简介

   本书以通俗生动的语言、图文并茂的形式,简要介绍了集成电路制程   。以特征线宽130nm   以下为重点,涉及集成电路制作工艺的各个方面,特别是包括短波长光源   、步进与扫描照相曝光   系统、CMP平坦化、双大马士革Cu布线、低-k介质材料、SoC与SiP等。不仅   便于读者入门,特   别是指明问题的关键和发展方向。对于与集成电路(IC)制程、材料、设备   以及微电子应用相关   的科技工作者和工程技术人员,本书具有极为难得的参考价值,也可以作   为相关专业本科生、研   究生用教材和参考书。   

目录

第1章 半导体IC的构造——既神奇又不可思议的半导体
 1.1 何谓半导体——导电的难易性
 1.2 神奇的硅一在地球表面的元素中储量排行第二
 1.3 集成电路中集成的是什么——三极管、电阻、电容
 1.4 半导体元件与集成电路——集成电路面面观
 1.5 二极管的功能——3种类型的二极管
 1.6 三极管的功能——可以比作通过水闸的水路
 1.7 MOS与双极性晶体管的比较—÷按Ic的材料分类
 1.8 存储器、各种类型的CPU——从MPU、ASIC到系统LSl
 1.9 存储器的种类——从DRAM到快闪存储器
 1.10 CISC与RISC——MPU的两个发展系列
 1.11 半导体器件的用途与特征——各具特色的半导体器件大显身手
 1.12 存储器的大小对比——压缩技术
 1.13 DRAM的技术先导作用——从DRAM到CPU
 1.14 摩尔定律继续有效——山穷水尽疑无路,柳暗花明又一村
 1.15 集成电路发明50周年历史回眸——两人一小步人类一大步
 1.16 微处理器发展历程——IC技术插上腾飞的翅膀
 专题栏:半导体IC工厂厂址应具备哪些条件
第2章 IC如何进行计算与存储——CPU与存储器的工作原理
 2.1 双极性晶体管集成电路的结构——比CMOS速度更快
 2.2 N型与P型MOS的区别——电压和电流的正负号变化一下即可
 2.3 何谓CMOS——最为普及的LSl
 2.4 电荷的积蓄方法——向DRAM“写入”
 2.5 DRAM的重写——从DRAM“读出”
 2.6 快闪存储器之一——不易失存储器中电荷的积蓄方法
 2.7 快闪存储器之二——半永久数据的存储
 2.8 加法计算——二进制法计算
 2.9 减法计算——利用“负数相对于2的补数表现”
 2.10 乘法计算——如何实现乘法器
 2.11 何谓NAND型——CMOS逻辑电路
 2.12 NOR型、AND型、0R型——各种类型的逻辑电路
 2.13 半导体的动力和功耗——IC内的电压以5V为中心
 专题栏:存储器更新换代的标志是出现“比特剪刀差”
第3章 半导体集成电路的制作工艺——IC工厂的实际体验
 3.1 半导体集成电路制作鸟瞰——开发顺序与制作工程
 3.2 IC制造的全工程——涉及前工程和后工程的五大工序
 3.3 “前”工程——制作带有电路的芯片
 3.4 G/W(Good—chip/Wafer,合格芯片/硅圆片)检测工程——判定芯片是否合格
 3.5 如何定义成品率——对综合实力的检验
 3.6 “后”工程——从划片到成品检验
 3.7 IC设计图的制作——要做到技术先进性与市场需求兼顾
 专题栏:计算机模拟
第4章 硅圆片的制作——前工程之一:闪闪发光的单晶硅圆片
 4.1 高纯硅的制作——99.999999999%的超高纯
 4.2 拉制单晶硅——CZ法与FZ法
 4.3 硅圆片的制作——从单晶硅棒切成硅圆片
 4.4 研磨成闪闪发光的单晶硅圆片——决定形状和品质的重要关口
 4.5 硅圆片直径与有效芯片——以6~8英寸硅圆片为中心
 ……
第5章 薄膜的制作——前工程之二:重要的扩散工艺
第6章 电路图形的制作|——前工程之本:掩模刻蚀
第7章 IC组装——后工程之一:从划片到塑封
第8章 检验与测量——后工程之二:多重检验
第9章 包罗万象的半导体——从非晶态到光集成电路
第10章 最尖端的半导体技术——下一代的IC和LSI
附录 IC制程常用缩略语注释
参考文献

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