简介
目录
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半导体发光
一 前言
二 分立中心及复合发光
三 边缘发射
四 发光跃迁及无辐射跃迁
五 瞬态光谱
六 过热发光
七 高激发密度下的发光
八 p-n结发光
九 高电场激发的发光
窄禁带半导体红外探测器
十 结束语
参考文献
金属硅化物
一 前言
二 金属硅化物的形成
三 过渡金属硅化物
四 稀土金属硅化物
五 金属硅化物的性质和应用
六 结束语
参考文献
一 前言
超低阈值GaAlAs量子阱激光器
一 光互连用的激光器
二 超低阈值和超高速量子阱激光器
二 Hg1-xCdxTe晶体的物理性质
三 红外探测器概述
四 光电导型红外探测器
五 光伏型红外探测器
六 多元列阵红外探测器
参考文献
半导体发光
一 前言
二 分立中心及复合发光
三 边缘发射
四 发光跃迁及无辐射跃迁
五 瞬态光谱
六 过热发光
七 高激发密度下的发光
八 p-n结发光
九 高电场激发的发光
窄禁带半导体红外探测器
十 结束语
参考文献
金属硅化物
一 前言
二 金属硅化物的形成
三 过渡金属硅化物
四 稀土金属硅化物
五 金属硅化物的性质和应用
六 结束语
参考文献
一 前言
超低阈值GaAlAs量子阱激光器
一 光互连用的激光器
二 超低阈值和超高速量子阱激光器
二 Hg1-xCdxTe晶体的物理性质
三 红外探测器概述
四 光电导型红外探测器
五 光伏型红外探测器
六 多元列阵红外探测器
参考文献
半导体器件研究与进展.二
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