硅材料检测技术

　　第1章 硅单晶常规电学参数的物理测试
　　 1.1 半导体硅单晶导电类型的测量
　　 1.2 半导体硅单晶电阻率的测量
　　 1.3 非平衡少数载流子寿命的测量
　　 本章小结
　　 习题
　　第2章 化学腐蚀法检测晶体缺陷
　　 2.1 半导体晶体的电化学腐蚀机理及常用腐蚀剂
　　 2.2 半导体单晶中的缺陷
　　 2.3 硅单晶中位错的检测
　　 2.4 硅单晶中漩涡缺陷的检测
　　 2.5 化学工艺中的安全知识
　　 2.6 金相显微镜简介
　　 本章小结
　　 习题
　　第3章 半导体晶体定向
　　 3.1 晶体取向的表示方法
　　 3.2 光图定向
　　 3.3 X射线定向
　　 本章小结
　　 习题
　　第4章 红外吸收法测定硅单晶中的氧和碳的含量、多晶硅中基硼、基磷含量的检验
　　 4.1 测量原理
　　 4.2 测试工艺和方法
　　 4.3 测准条件分析
　　 4.4 多晶硅中基硼、基磷含量的检验
　　 本章小结
　　 习题
　　第5章 纯水的检测
　　 5.1 纯水在半导体生产中的应用
　　 5.2 离子交换法制备纯水的原理
　　 5.3 离子交换法制备纯水
　　 5.4 纯水制备系统主要设备及工作原理
　　 5.5 纯水制备系统运行控制
　　 5.6 纯水制备系统的清洗
　　 5.7 高纯水的检测
　　 本章小结
　　 习题
　　第6章 高纯分析方法
　　 6.1 三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定
　　 6.2 三氯氢硅(四氯化硅)中硼的分析
　　 6.3 三氯氢硅(四氯化硅)中痕量磷的气相色谱测定
　　 6.4 工业硅中铁、铝含量的测定
　　 6.5 露点法测定气体中的水分
　　 6.6 气相色谱法测定干法H：的组分
　　 6.7 氯化氢中水分的测定
　　 6.8 液氯中水分的测定
　　 本章小结
　　 习题
　　第7章 其他物理检测仪器简介
　　 7.1 X射线形貌技术
　　 7.2 质谱分析
　　 7.3 中子活化分析
　　 7.4 电子显微镜
　　 参考文献