模拟大规模集成电路设计基础

第1章　模拟LSI电路设计的变迁　
　1.1　半导体技术和模拟电路　
　1.2　模拟电路的分类　
　1.3　专用LSI和ASIC　
　1.4　系统LSI和模拟电路设计　
　1.5　运算放大器和模拟电路设计　
　1.6　LSI的大规模化和电路设计方法　
　1.7　CMOS模拟电路设计　
第2章　半导体和晶体管电路的基础知识
　2.1　半导体的特征　
　　2.1.1　半导体的材料和种类　
　　2.1.2　用硅作半导体材料的理由
　　2.1.3　硅原子和半导体　
　　2.1.4　N型半导体和P型半导体
　　2.1.5　能带理论　
　　2.1.6　本征半导体和杂质半导体
　　2.1.7　化合物半导体　
　2.2　半导体的分类　
　　2.2.1　按用途分类　
　　2.2.2　按结构分类　
　　2.2.3　逻辑LSI的分类　　
　　2.2.4　逻辑LSI的种类　　
　　2.2.5　存储LSI的种类　　
　2.3　模拟电路设计的分类　
　　2.3.1　使用分立元器件的模拟电路设计
　　2.3.2　使用通用模拟LSI的电路设计　　
　　2.3.3　定制LSI和模拟电路设计　　
　　2.3.4　模拟LSI电路设计　
　　2.3.5　绝对精度和相对精度　
　2.4　晶体管的工作原理和基本放大电路
　　2.4.1　晶体管的工作原理　　
　　2.4.2　双极型和单极型　
　　2.4.3　正向电压和发射极电流的关系
　　2.4.4　基区宽度调制（厄利效应）　　
　　2.4.5　晶体管的基本放大电路　　
　　2.4.6　基极接地放大电路　
　　2.4.7　集电极接地放大电路（发射极跟随器、缓冲器）
　　2.4.8　发射极接地放大电路　
第3章　FET及其电路　
　3.1　FET的工作原理与基本放大电路
　　3.1.1　FET的工作原理　
　　3.1.2　借助于耗尽层的电流控制（沟道长度调制）
　　3.1.3　结型FET的主要参数　
　　3.1.4　按特性对FET分类（增强型和耗尽型）　
　　3.1.5　按栅极结构对FET进行分类（结型、肖特基型及MOS型）　
　　3.1.6　FET与晶体管的比较　　
　　3.1.7　结型FET和绝缘栅（MOS）型FET的不同
　3.2　CMOS型FET　
　　3.2.1　CMOS型FET的概要　
　　3.2.2　CMOs的结构　
　　3.2.3　CMOS和逻辑电路　
　　3.2.4　CMOS反相器和自锁效应　　
　3.3　Bi-CMOS电路　
　　3.3.1　Bi-CMOS的概要　
　　3.3.2　Bi-CMOS逻辑电路　
　　3.3.3　混合信号（Mixed Signal）　
　3.4　FET的基本放大电路　
　　3.4.1　FET的三种接地放大电路　
　　3.4.2　源极接地电路
　　……
第4章　双极型集成电路及其构成要素
第5章　模拟基本LSI电路
第6章　模拟应用LSI电路
第7章　CMOS FFT模拟LSI电路
第8章　噪声和热
第9章　基于仿真的电路设计
参考文献