离子束材料改性科学和应用

第一章 先进的离子束加工技术
1．1 离子束技术种类和发展概况
1．2 离子束加工的特点
1．3 离子束工程学的研究对象
1．4 离子束技术在材料科学研究中的重要地位
1．5 离子束加工的经济效益
1．6 离子束材料改性所取得的最新成果
1．7 离子注入工业化发展趋势
第二章 离子注入和离子束加工中相关的物理问题
2．1 离子注入和离子束加工分类
2．2 离子束与材料表面相互作用的特殊物理问题
2．3 离子注入晶格原子位移率
2．4 碰撞级联体温升
2．5 注入过程中基体的平均温升和对注入元素分布的影响
第三章 大规模集成电路(VLSI)离子注入浅结和快速退火
3．1 集成电路离子注入浅结工艺
3．2 白光退火设备和特性
3．3 瞬态退火中晶格结构恢复的沟道分析
3．4 晶格结构电子显微镜分析
3．5 注入和快速热退火(RTA)引起晶格应力的变化
3．6 RTA退火后PN结扩展电阻和载流子浓度分布测量
3．7 快速退火与瞬态增强扩散
3．8 缺陷和应力对PN结漏电的影响
4．1 离子注入在集成电路中的关键技术
第四章 硅和GaAs集成电路中离子束微细加工技术
4．2 离子注入BiCMOS电路
4．3 离子掺杂在砷化镓电路中的微细加工技术
4．4 离子注入GoAs集成电路隔离技术
4．5 适合现代VLSI和ULSI电路制造的离子注入机
第五章 高能离子注入
5．1 高能离子注入的射程和分布
5．2 高能离子注入的损伤和退火
5．3 抑制和消除二次缺陷的方法
5．4 高能离子注入硅应力的控制
5．5 高能磷离子注入硅表面高阻层的控制和消除
5．6 高能离子注入分形
5．7 高能离子注入的应用
第六章 离子注入合成硅化物
6．1 金属硅化物的发展概况
6．2 金属硅化物的性质
6．3 硅化物相图
6．4 硅化物生长动力学
6．5 离子注入埋层硅化物的合成
6．6 离子束合成硅化物的结构
6．7 硅化物生长动力学
6．8 硅化钴埋层
6．9 硅化钴的应用
6．10 金属离子注入薄层硅化物的合成
第七章 离子束表面摩擦磨损工程
7．1 磨损机理
7．2 离子注入改善表面摩擦特性的原理
7．3 离子束金属表面强化规则
7．4 离子注入表面摩擦特性
7．5 离子注入工业应用
第八章 离子注入热原子化学效应、表面抗腐蚀和抗氧化特性
8．1 离子注入系统的热原子化学概念
8．2 离子束材料改性中热原子化学效应
8．3 离子注入硅SOI结构的形成
8．4 离子注入表面抗氧化特性
8．5 离子注入和离子束加工改善金属抗腐蚀特性
8．6 离子注入金属材料抗腐蚀的实验结果
8．7 腐蚀的测量
8．8 MEVVA源金属单离子和双离子注入H13钢耐腐蚀性能
8．9 磁过滤MEVVA弧源沉积和注入改善H13钢腐蚀性能
8．10 金属离子注入材料表面的电催化性能
第九章 离子注入在医疗上的研究和应用
9．1 离子注入钛合金人造假肢
9．2 N离子注入钛合金抗磨损特性
9．3 氧、氮、碳和硼离子注入钛合金抗磨损特性
9．4 离子注入在医疗上的应用
9．5 离子注入改善高分子聚合物(PMMA)与钛合金的对磨特性
9．6 离子注入生物材料抗腐蚀特性
9．7 离子注入改善Co-Cr合金和不锈钢与PMMA对磨特性
9．8 离子束加工人体植入体表面改性
第十章 离子注入陶瓷表面改性
10．1 离子注入陶瓷材料改性特点
10．2 离子注入Al2O3的SiC辐射损伤
10．3 离子注入陶瓷和氧化物结构变化的判据
10．4 离子注入陶瓷退火特性
10．5 α-Al2O3中注入杂质对退火特性的影响
10．6 退火气氛对退火特性的影响
10．7 离子注入α-Al2O3电荷态的变化
10．8 SiC和Si2N4的退火特性
10．9 离于注入陶瓷的机械特性
10．10 离子注入陶瓷抗磨损特性
10．11 摩擦对自滑润的选配
10．12 离子注入WC-Co合金特性
10．13 离子注入陶瓷表面导电特性
11．1 离子注入高分子聚合物发展概况
第十一章 离子注入高分子聚合物
11．2 离子束改性的聚合物种类
11．3 离子注入过程中的原子发射
11．4 聚合物化学配比的变化
11．5 离子束的聚合效应
11．6 离子辐照下分子交联和降解
11．7 聚合物的溶解度
11．8 离子辐照聚合物的电特性
11．9 离子注入聚合物光学特性的变化
11．10 离子注入聚合物结构变化
11．11 离子注入聚合物表面改性
11．12 离子注入在微电子学上的应用
11．13 离子注入在未来的分子电子学中的作用