Through-silicon vias for 3D integration

序
前言
致谢
导读
第1章半导体工业的纳米技术和三维（3D）集成技术
1.1引言
1.2纳米技术
1.2.1纳米技术起源
1.2.2纳米技术重要的里程碑
1.2.3石墨烯与电子工业
1.2.4纳米技术的展望
1.2.5摩尔定律：电子工业的纳米技术
1.3三维集成技术
1.3.1硅通孔（TSV）技术
1.3.2三维集成技术的起源
1.4三维硅集成技术的挑战和展望
1.4.1三维硅集成技术
1.4.2三维硅集成键合组装技术
1.4.3三维硅集成技术面临的挑战
1.4.4三维硅集成技术的展望
1.5三维集成电路（3DIC）集成技术的潜在应用和挑战
1.5.13DIC集成技术的定义
1.5.2移动电子产品的未来需求
1.5.3带宽和wideI／O的定义
1.5.4储存器的带宽
1.5.5存储器芯片堆叠
1.5.6wideI／O存储器
1.5.7wideI／O动态随机存储器（DRAM）
1.5.8wideI／O接口
1.5.92.5D和3DIC集成（有源和无源转接板）技术
1.62.5DIC最新进展（转接板）技术的最新进展
1.6.1用作中间基板的转接板
1.6.2用作应力释放（可靠性）缓冲层的转接板
1.6.3用作载板的转接板
1.6.4用作热管理的转接板
1.7三维集成TSV无源转接板技术发展的新趋势
1.7.1双面贴装空腔式转接板技术
1.7.2有机基板开孔式转接板技术
1.7.3设计案例
1.7.4带有热塞或散热器的有机基板开孔式转接板技术
1.7.5超低成本转接板技术
1.7.6用于热管理的转接板技术
1.7.7对于三维光发射二极管（LED）和SiP有埋入式微流道的转接板
1.8埋人式3DIC集成
1.8.1带应力释放间隙的半埋入式转接板
1.8.2用于光电互连的埋入式三维混合IC集成技术
1.9总结与建议
1.10TSV专利
1.11参考文献
1.12其他阅读材料
1.12.1TSV、3D集成和可靠性
1.12.23DMEMS和IC集成
1.12.3半导体IC封装
第2章硅通扎（TSV）技术
2.1引言
2.2 TSV的发明
2.3可采用TSV技术的量产产品
2.4 TSV孔的制作
2.4.1 DRIE与激光钻孔
2.4.2制作椎形孔的DRIE工艺
2.4.3制作直孔的DRIE工艺
2.5绝缘层（siO2）制作
2.5.1通过热氧化法制作椎形孔Si02绝缘层
2.5.2通过PECVD法制作的椎形孔SiO2绝缘层
2.5.3通过PECVD法制作的垂直状SiO2绝缘层的实验设计
2.5.4实验设计结果
2.5.5总结与建议
2.6阻挡层（黏结剂）和种子层（金属）制作
2.6.1椎形孔TSV的钛（Ti）阻挡层和铜（Cu）种子层
2.6.2直孔TSV的钽（Ta）阻挡层和铜（Cu）种子层
2.6.3直孔TSV的钽（Ta）阻挡层沉积实验和结果
2.6.4直孔TSV的铜（Cu）种子层沉积实验和结果
2.6.5总结与建议
2.7铜电镀填充TSV
2.7.1铜电镀填充椎形孔TSV
2.7.2铜电镀填充直孔TSV
2.7.3盲直孔TSV的漏电流测试
2.7.4总结与建议
2.8残余电镀铜的化学机械抛光（CMP）
2.8.1椎形孔TSV的化学机械抛光
2.8.2直孔TSV的化学机械抛光
2.8.3总结与建议
2.9 TSV背面露铜工艺
2.9.1湿法工艺
2.9.2干法刻蚀工艺
2.9.3总结与建议
2.10前道工艺（FEOL）和后道工艺（BEOL）
2.11 TSV工艺
2.11.1前键合制孔工艺
2.11.2键合后制孔工艺
2.11.3先孔（via—first）工艺
2.11.4中孔（via—middle）工艺
2.11.5正面后孔（via—last）工艺
……
第3章硅通孔（BV）：机械、热和电学行为
第4章薄晶圆强度测量
第5章薄晶圆拿持技术
第6章微凸点制作、组装和可靠性
第7章微凸点的电迁移
第8章瞬态液相键合：芯片到芯片（C2C），芯片到晶圆（C2W），晶圆到晶圆（W2W）
第9章三维集成电路集成的热管理
第10章三维集成电路封装
第11章三维集成的发展趋势
索引