简介
目录
目录
一 前言
二 MOS结构的电特性
三 Si-SiO2界面电子态研究
四 氧化层中的陷阱和MOS结构的辐照效应
五 相关的其他问题和对进一步工作的提示
六 结束语
参考文献
半导体器件的数值模型
一 前言
二 基本半导体方程
半导体器件的发展
三 器件模拟的数值技术
四 不等温器件分析
五 异质结器件分析
六 半导体器件的蒙特卡罗分析
七 结束语
参考文献
异质结双极型晶体管
一 前言
二 晶格匹配
三 异质结的形成
一 前言
四 异质结晶体管的能带设计
五 异质结晶体管各区的材料选择
六 异质结晶体管的结构设计
七 异质结晶体管的制作工艺
八 异质结晶体管的性能
九 异质结晶体管集成电路
十 结束语
参考文献
二 电子器件的结构与发展
三 超大规模和甚大规模集成电路的发展
四 光电器件与单块光电集成
五 结束语
参考文献
MOS技术中的Si-SiO2界面物理
?
一 前言
二 MOS结构的电特性
三 Si-SiO2界面电子态研究
四 氧化层中的陷阱和MOS结构的辐照效应
五 相关的其他问题和对进一步工作的提示
六 结束语
参考文献
半导体器件的数值模型
一 前言
二 基本半导体方程
半导体器件的发展
三 器件模拟的数值技术
四 不等温器件分析
五 异质结器件分析
六 半导体器件的蒙特卡罗分析
七 结束语
参考文献
异质结双极型晶体管
一 前言
二 晶格匹配
三 异质结的形成
一 前言
四 异质结晶体管的能带设计
五 异质结晶体管各区的材料选择
六 异质结晶体管的结构设计
七 异质结晶体管的制作工艺
八 异质结晶体管的性能
九 异质结晶体管集成电路
十 结束语
参考文献
二 电子器件的结构与发展
三 超大规模和甚大规模集成电路的发展
四 光电器件与单块光电集成
五 结束语
参考文献
MOS技术中的Si-SiO2界面物理
?
半导体器件研究与发展.第一册
- 名称
- 类型
- 大小
光盘服务联系方式: 020-38250260 客服QQ：4006604884
云图客服：
用户发送的提问，这种方式就需要有位在线客服来回答用户的问题，这种 就属于对话式的,问题是这种提问是否需要用户登录才能提问
Video Player
×
Audio Player
×
pdf Player
×
