CMOS digital integrated circuita:analysis and design
副标题：无
作 者：(美)Sung-Mo Kang，(美)Yusuf Leblebici著;王志功， 窦建华等译
分类号：
ISBN：9787121089015
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简介
本书共十五章，详细讲述CMOS数字集成电路的相关内容，反映现代技术发展水平并提供了电路设计的最新资料。
本书详细讲述CMOS数字集成电路的相关内容，反映现代技术发展水平并提供了电路设计的最新资料。本书共十五章。前八章详细讨论MOSn体管的相关特性和工作原理、基本反相器电路设计、组合逻辑电路及时序逻辑电路的结构与工作原理；第9章介绍应用于先进VLSI芯片设计的动态逻辑电路，第10章介绍先进的半导体存储电路，第11章介绍低功耗CMOS逻辑电路，第12章介绍双极性晶体管基本原理和BiCMOS数字电路设计，第13章详细介绍芯片的I／O设计，最后两章分别讨论电路的可制造性设计和可测试性设计这两个重要问题。
随着超深亚微米制作工艺、极低的工作电压和GHz级工作频率带来的挑战，经典的数字CMOS电路设计与模拟CMOS电路设计的界限已渐趋模糊。因此，本书作者从“模拟”的角度来讲解数字CMOS电路的分析与设计（例如，用器件和电路的模拟和连续特性来实现数字化功能）。更多>>
目录
第1章 概论
1.1 发展历史
1.2 本书的目标和结构
1.3 电路设计举例
1.4 VLSI设计方法综述
1.5 VLSI设计流程
1.6 设计分层
1.7 规范化、模块化和本地化的概念
1.8 VLSI的设计风格
1.9 设计质量
1.10 封装技术
1.11 计算机辅助设计技术
1.12 习题
第2章 MOS场效应管的制造
2.1 引言
2.2 制造工艺的基本步骤
2.3 CMOS n阱工
2.4 版图设计规划
2.5 全定制掩膜版图设计
2.6 习题
第3章 MOS日体管
3.1 金属-氧化物-半导体（MOS）结构
3.2 外部偏置上下的MOS系统
3.3 MOS场效应管（MOSFET）的结构和作用
3.4 MOSFET的电流-电压特性
3.5 MOSFET的收容和不尺寸效应
3.6 MOSFET电容
3.7 习题
第4章 用SPICE进行MOS管建模
4.1 概述
4.2 基本概念
4.3 一级模型方程
4.4 二级模型方程
4.5 三维模型方程
4.6 选进的MOSFT模型
4.7 电容模型
4.8 SPICE MOSFET模型的比较
4.9 附录
4.10 习题
第5章 MOS反相器的静态特性
5.1 概述
5.2 电阻负载型反相器
5.3 n型MOSFET负载反相器
5.4 CMOS反相器
5.5 习题
第6章 MOS反相器的开关特性和体效应
6.1 概论
6.2 延迟时间的定义
6.3 延迟时间的计算
6.4 延迟限制下的反相器设计
6.5 互连线电容的估算
6.6 互连线延迟的计算
6.7 CMOS反相器的开关功耗
6.8 附录
6.9 习题
第7章 组合MOS逻辑电路
7.1 概述
7.2 带耗尽型nMOS负载的MOS逻辑电路
7.3 CMOS逻辑电路
7.4 复合逻辑电路
7.5 CMOS传输门
7.6 习题
第8章 时序MOS逻辑电路
8.1 概述
8.2 双稳态元件的特性
8.3 SR锁存电路
8.4 钟控锁存器和触发器电路
8.5 CMOS的D锁存器和边沿触发器
8.6 附录
8.7 习题
第9章 动态逻辑电路
9.1 概述
9.2 传输晶体管电路的基本原理
9.3 电压自举技术
9.4 同步动态电路技术
9.5 动态CMOS电路技术
9.6 高性能动态逻辑CMOS电路
9.7 习题
第10章 半导体存储器
10.1 概述
10.2 动态随机存储器(DRAM)
10.3 静态随机存取存储器(SRAM)
10.4 非易失存储器
10.5 闪存
10.6 铁电随机存储器(FRAM)
10.7 习题
第11章 低功耗CMOS逻辑电路
11.1 概述
11.2 功耗综述
11.3 电压按比例降低的低功率设计
11.4 开关激活率的估算和最佳化
11.5 减小开关电容
11.6 绝热逻辑电路
11.7 习题
第12章 BiCMOS逻辑电路
12.1 概述
12.2 双极型晶体管(BJT)的结构和工作原理
12.3 BJT的动态特性
12.4 基本BiCMOS电路的静态特性
12.5 BiCMOS逻辑电路的开关延迟
12.6 BiCMOS的应用
12.7 习题
第13章 芯片输入输出电路
13.1 概述
13.2 静电放电(ESD)保护
13.3 输入电路
13.4 输出电路和L(dildt)噪声
13.5 片内时钟生成和分配
13.6 “闩锁”现象及其预防措施
13.7 习题
第14章 产品化设计
14.1 概述
14.2 工艺变化
14.3 基本概念和定义
14.4 实验设计与性能建模
14.5 参数成品率的评估
14.6 参数成品率的最大值
14.7 最坏情况分析
14.8 性能参数变化的最小化
14.9 习题
第15章 可测性设计
15.1 概述
15.2 故障类型和模型
15.3 可控性和可观察性
15.4 专用可测试性设计技术
15.5 基于扫描的技术
……
1.1 发展历史
1.2 本书的目标和结构
1.3 电路设计举例
1.4 VLSI设计方法综述
1.5 VLSI设计流程
1.6 设计分层
1.7 规范化、模块化和本地化的概念
1.8 VLSI的设计风格
1.9 设计质量
1.10 封装技术
1.11 计算机辅助设计技术
1.12 习题
第2章 MOS场效应管的制造
2.1 引言
2.2 制造工艺的基本步骤
2.3 CMOS n阱工
2.4 版图设计规划
2.5 全定制掩膜版图设计
2.6 习题
第3章 MOS日体管
3.1 金属-氧化物-半导体（MOS）结构
3.2 外部偏置上下的MOS系统
3.3 MOS场效应管（MOSFET）的结构和作用
3.4 MOSFET的电流-电压特性
3.5 MOSFET的收容和不尺寸效应
3.6 MOSFET电容
3.7 习题
第4章 用SPICE进行MOS管建模
4.1 概述
4.2 基本概念
4.3 一级模型方程
4.4 二级模型方程
4.5 三维模型方程
4.6 选进的MOSFT模型
4.7 电容模型
4.8 SPICE MOSFET模型的比较
4.9 附录
4.10 习题
第5章 MOS反相器的静态特性
5.1 概述
5.2 电阻负载型反相器
5.3 n型MOSFET负载反相器
5.4 CMOS反相器
5.5 习题
第6章 MOS反相器的开关特性和体效应
6.1 概论
6.2 延迟时间的定义
6.3 延迟时间的计算
6.4 延迟限制下的反相器设计
6.5 互连线电容的估算
6.6 互连线延迟的计算
6.7 CMOS反相器的开关功耗
6.8 附录
6.9 习题
第7章 组合MOS逻辑电路
7.1 概述
7.2 带耗尽型nMOS负载的MOS逻辑电路
7.3 CMOS逻辑电路
7.4 复合逻辑电路
7.5 CMOS传输门
7.6 习题
第8章 时序MOS逻辑电路
8.1 概述
8.2 双稳态元件的特性
8.3 SR锁存电路
8.4 钟控锁存器和触发器电路
8.5 CMOS的D锁存器和边沿触发器
8.6 附录
8.7 习题
第9章 动态逻辑电路
9.1 概述
9.2 传输晶体管电路的基本原理
9.3 电压自举技术
9.4 同步动态电路技术
9.5 动态CMOS电路技术
9.6 高性能动态逻辑CMOS电路
9.7 习题
第10章 半导体存储器
10.1 概述
10.2 动态随机存储器(DRAM)
10.3 静态随机存取存储器(SRAM)
10.4 非易失存储器
10.5 闪存
10.6 铁电随机存储器(FRAM)
10.7 习题
第11章 低功耗CMOS逻辑电路
11.1 概述
11.2 功耗综述
11.3 电压按比例降低的低功率设计
11.4 开关激活率的估算和最佳化
11.5 减小开关电容
11.6 绝热逻辑电路
11.7 习题
第12章 BiCMOS逻辑电路
12.1 概述
12.2 双极型晶体管(BJT)的结构和工作原理
12.3 BJT的动态特性
12.4 基本BiCMOS电路的静态特性
12.5 BiCMOS逻辑电路的开关延迟
12.6 BiCMOS的应用
12.7 习题
第13章 芯片输入输出电路
13.1 概述
13.2 静电放电(ESD)保护
13.3 输入电路
13.4 输出电路和L(dildt)噪声
13.5 片内时钟生成和分配
13.6 “闩锁”现象及其预防措施
13.7 习题
第14章 产品化设计
14.1 概述
14.2 工艺变化
14.3 基本概念和定义
14.4 实验设计与性能建模
14.5 参数成品率的评估
14.6 参数成品率的最大值
14.7 最坏情况分析
14.8 性能参数变化的最小化
14.9 习题
第15章 可测性设计
15.1 概述
15.2 故障类型和模型
15.3 可控性和可观察性
15.4 专用可测试性设计技术
15.5 基于扫描的技术
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