Analog and VLSI circuits

第一部分模拟集成电路
第1章单器件模型
1.1双极型晶体管
1.1.1 Ebers—Moll模型
1.1.2 Gummel—Poon模型
1.1.3双极型晶体管的电流增益
1.1.4大电流现象
1.1.5小信号模型
1.1.6 工艺
1.1.7模型参数
1.1.8锗硅异质结双极型晶体管（SiGe HBT）
1.2金属一氧化物一硅场效应晶体管
1.2.1 引言
1.2.2沟道电荷
1.2.3伏一安特性
1.2.4晶体管的电容
1.2.5 小信号工作
1.2.6基于设计的分析策略
1.3 JFET，MESFET和HEMT技术与器件
1.3.1 引言
1.3.2硅JFET器件工作原理和技术
1.3.3化合物半导体FET工艺
1.3.4结论
1.4无源器件
1.4.1 电阻
1.4.2电容
1.4.3 电感
1.5模拟集成电路中芯片的寄生效应
1.5.1 互连寄生效应
1.5.2压焊点和封装寄生参数
1.5.3寄生参数测量
第2章模拟电路单元
2.1双极偏置电路
2.1.1普通双极型晶体管（BJT）偏置电路
2.2线性双极型技术的典型单元
2.2.1 引言
2.2.2小信号模型
2.2.3单输入单输出典型单元
2.2.4差分放大器
2.3 MOSFET的偏置电路
2.3.1 引言
2.3.2器件类型和模型
2.3.3电压和电流基准和偏置电路
2.3.4基于不常用器件的电压和电流基准
2.3.5基于N型和P型掺杂多晶硅栅阈值的电压基准
2.3.6简单的放大器偏置及其他电路
2.3.7低电源电压偏置电路
2.3.8动态偏置
2.3.9结论
2.4 MOSFET技术的典型单元
2.4.1 匹配的器件对
2.4.2不匹配器件对
2.4.3复合晶体管
2.4.4超级MOS晶体管
2.4.5基本的电压增益单元
2.4.6结论
第3章高性能模拟电路
3.1宽带双极网络
3.1.1 引言
3.1.2米勒（Miller）定理
3.1.3在高频时双极型晶体管的建模
3.1.4单增益级
3.1.5 Cμ的中和
3.1.6负反馈
3.1.7 RF双极性晶体管布局
3.1.8双极型电流模宽带电路
3.1.9宽带放大器的稳定性
3.1.10结论
附录A：电流反馈传输函数和带宽特性
附录B：电压反馈的传输函数和带宽特性
附录C：电流反馈Op—amp输入级的跨导
附录D：Widlar电流镜像的传输函数
附录E：带发射极负反馈电阻的Widlar电流镜的传输函数
3.2双极噪声
……
第二部分超大规模集成电路
致谢
参考文献