简介
本书从印制线路板和微电子封装的基本概念入手,针对高密度多层基板,详细讨论了制造工艺、相关材料及应用等各个方面的内容。主要包括印制线路板概述、高密度电子封装、无机封闭基板、高密度封装基板及其新课题、封装用一般有机基板材料、带载型封装用挠性基板材料、封装用积层板基材、高密度互连多层板芯制造技术、高密度互连积层板制造技术、特性阻抗和集成元件板等。
本书适合于微电子、化工、材料、电子元件器件、信息、通信、计算机、机械、塑料加工等各个领域的学生、教师和工程技术人员参考使用。
目录
《新材料及在高技术中的应用丛书》序言
前言
第1章 印制线路板概述
1.1 印制线路板的发展经历
1.1.1 摇篮期
1.1.2 发展期
1.1.3 多层板期
1.1.4 积层多层板期
1.2 多层印制电路板的种类及结构
1.2.1 PCB和PWB
1.2.2 PCB的分类
1.2.3 立体连接方式
1.2.4 多层印制电路板的结构
1.3 多层印制电路板的电气特征
1.3.1 导体电阻
1.3.2 绝缘电阻
1.3.3 特性阻抗及传输速度
1.3.4 交调噪声
1.3.5 电磁波屏蔽及其他特性
1.4 电镀通孔多层印制线路板
1.4.1 电镀通孔工艺
1.4.2 减成法
1.4.3 加成法
1.4.4 盲孔、埋孔层间连接
1.4.5 顺次积层法
1.5 积层多层印制线路板
1.5.1 电镀方式各种积层法的比较
1.5.2 涂树脂铜箔方式
1.5.3 热固性树脂方式
1.5.4 感光性树脂方式
1.5.5 其他采用电镀的积层方式
1.5.6 采用导电浆料的积层方式
1.5.7 一次积层工艺
1.5.8 芯板及表面的平坦化
1.5.9 多层间的连接方式
1.6 电子基板产业的发展战略
1.6.1 电子基板产业发展的三个方面
1.6.2 战略性开发的把握
1.6.3 工艺性开发的把握
第2章 高密度电子封装
2.1 电子封装的基本概念
2.1.1 定义
2.1.2 范围
2.1.3 功能
2.1.4 分类
2.2 电子封装发展的驱动力及发展概况
2.2.1 电子封装技术发展简介
2.2.2 带动电子封装发展的第一个车轮——半导体芯片性能的不断提高
2.2.3 带动电子封装发展的第二个车轮——电子设备迅速轻、薄、短、小化
2.2.4 电子封装技术领域中的两次重大变革
2.2.5 电子封装的发展动向及第三次重大变革
2.3 电子封装的技术课题
2.3.1 信号的高速传输
2.3.2 高效率冷却
2.3.3 高密度化
2.3.4 防止电磁波干扰技术
2.4 从电子封装技术到电子封装工程
2.4.1 电子封装技术的体系与范围
2.4.2 电子封装工程的主要课题
2.4.3 电子封装材料
2.5 多芯片组件(MCM)
2.5.1 MCM的历史、种类及其特征
2.5.2 MCM的制作工艺——以MCM-D为例
2.5.3 MCM的发展趋势
2.6 CSP——芯片级封装
2.6.1 CSP的定义及特征
2.6.2 挠性基板μBGA
2.6.3 陶瓷封装基板LGA型CSP(C-CSP)
2.6.4 薄膜型CSP
2.6.5 少端子CSP-BCC
2.6.6 D^2BGA型CSP
2.6.7 叠片式CSP
2.6.8 Super CSP和MOST
2.6.9 CSP的最新进展及发展动向
2.6.10 CSP有待研究和开发的课题
2.7 三维封装
2.7.1 三维封装的分类
2.7.2 封装叠层的三维封装
2.7.3 芯片叠层的三维封装
2.7.4 硅圆片叠层的三维封装
2.8 半导体封装技术的发展趋势
2.8.1 封装的作用及电子封装工程的地位
2.8.2 半导体封装技术的现状及动向
2.8.3 主要半导体封装技术的发展趋势
2.8.4 今后的课题
第3章 无机封装基板
3.1 陶瓷基板概论
3.1.1 作为陶瓷基板应具备的条件
3.1.2 陶瓷基板的制作方法
3.1.3 陶瓷基板的金属化
3.2 各类陶瓷基板
3.2.1 氧化铝基板
3.2.2 莫来石基板
3.2.3 氮化铝(AIN)基板
3.2.4 碳化硅(SIC)基板
3.2.5 氧化钹(BeO)基板
3.3 低温共烧陶瓷(LTCC)多层基板
3.3.1 LTCC基板应具有的性能
3.3.2 玻璃陶瓷材料
3.3.3 LTCC的制作方法及烧结特征
3.3.4 LTCC多层基板的应用
3.3.5 LTCC多层基板的发展动向
3.4 其他类型的无机基板
3.4.1 LCD用玻璃基板
3.4.2 PDP用玻璃基板
3.5 复合基板
3.5.1 复合基板(I)——功能复合
3.5.2 复合基板(Ⅱ)——结构复合
3.5.3 复合基板(Ⅲ)——材料复合
第4章 高密度封装基板及其新课题
4.1 高密度封装基板在携带型电子产品中的应用
4.1.1 在移动电话中的应用
4.1.2 在笔记本电脑中的应用
4.1.3 在携带型摄像机中的应用
4.2 高密度多层基板中的精细工艺技术
4.2.1 导体尺寸的微细化
4.2.2 导体尺寸的精度化
4.2.3 加工技术的精细化控制和自动化生产
4.2.4 实用高密度封装基板举例
4.3 高频基板材料
4.3.1 高频PCB市场的新发展
4.3.2 影响基板材料介电特性的主要因素
4.3.3 高频用各类树脂基板材料的性能和特点
4.3.4 高频基板材料的未来发展
4.4 绿色基板材料
4.4.1 绿色基板问题的提出
4.4.2 聚合物阻燃机理及阻燃剂
4.4.3 绿色CCL的开发思路和技术路线
4.4.4 无卤化涂树脂铜箔和半固化片材料
4.5 电子封装中的无铅化
4.5.1 世界范围内电子封装无铅化趋势
4.5.2 日本的无铅化现状
4.5.3 无铅焊料及钎焊工艺
4.5.4 导电胶连接技术
4.5.5 积极应对无铅化的发展形势
4.6 纳米材料在封装基板中的应用
4.6.1 纳米复合材料技术的迅速发展
4.6.2 在覆铜板制造技术中应用的发展趋势
4.6.3 纳米高分子复合材料在性能上的提高
4.6.4 中国台湾纳米材料在覆铜板中应用的研究成果
4.7 印制线路板制造技术10年内的发展预测
4.7.1 对印制线路板制造技术的要求
4.7.2 适应高密度封装、高速及高频信号的使用要求
4.7.3 适应无卤化的要求
4.7.4 适应埋入无源及有源器件的系统集成封装的要求
4.7.5 适应搭载新功能器件的要求
4.7.6 适应低价格的要求
4.7.7 适应更短供货期的要求
第5章 封装用一般有机基板材料
5.1 有机封装基板材料的发展
5.1.1 有机封装基板
5.1.2 有机封装基板材料的发展特点
5.2 对基板材料的主要性能要求
5.2.1 与陶瓷材料相比的特点
5.2.2 主要性能要求
5.2.3 不同类型封装对基板材料性能需求的侧重点
5.3 有机封装基板用基板材料的分类与主要标准
5.3.1 概述
5.3.2 有机封装基板用基材的分类
5.3.3 主要标准
5.4 制造基板材料的主要原材料
5.4.1 铜箔
5.4.2 玻璃纤维布
5.4.3 芳酰胺纤维无纺布
5.5 一般环氧玻璃布基的基板材料
5.5.1 概述
5.5.2 制造用主要化工原材料
5.5.3 制造中的工艺技术
5.5.4 环氧玻璃布基半固化片
5.6 高T_g、低α、低ε树脂的基板材料
5.6.1 聚酰亚胺树脂的基板材料
5.6.2 BT树脂的基板材料
5.6.3 PPE树脂的基板材料
第6章 带载型封装用挠性基板材料
6.1 引言
6.2 挠性覆铜箔聚酰亚胺薄膜基材
6.2.1 挠性覆铜箔基材的产品结构
6.2.2 聚酰亚胺薄膜
6.2.3 有胶粘剂型与无胶粘剂型挠性覆铜箔板
6.3 卷状环氧玻璃布基挠性覆铜箔板
6.3.1 产品概述
6.3.2 产品主要性能
6.4 液晶聚合物覆铜箔板
6.4.1 液晶聚合物将成为未来封装用新型基材
6.4.2 LCP的主要特性
第7章 封装用积层多层板基材
7.1 概述
7.1.1 分类
7.1.2 各类基材在制造BUM中的工艺过程
7.1.3 经济性对比
7.1.4 基材所用树脂
7.1.5 绝缘层形成的工艺方法
7.2 感光性绝缘材料
7.2.1 基材特性
7.2.2 产品形态
7.2.3 产品品种与性能
7.2.4 树脂体系及其性能保证
7.3 热固性树脂材料
7.3.1 基材特性
7.3.2 产品品种与性能
7.3.3 树脂体系及其性能保证
7.4 附树脂铜箔基材
7.4.1 基材特性
7.4.2 与RCC相关的IPC标准
7.4.3 产品品种与性能
第8章 高密度互连多层板芯板制造技术
8.1 机械钻微小孔技术
8.1.1 机械钻微小孔面临着挑战
8.1.2 机械钻微小孔的策略
8.1.3 机械钻孔生产率与成本
8.2 精细导线/间距技术
8.2.1 薄或超薄铜箔基材的精细表面处理
8.2.2 薄型抗蚀剂
8.2.3 精细图形底片
8.2.4 曝光与显影
8.2.5 激光刻像技术
8.2.6 蚀刻技术
8.2.7 精细线宽/间距的AOI检测
8.3 薄型化技术
8.3.1 薄型多层板
8.3.2 薄型基板材料
8.3.3 薄型基板材料的处理技术
8.3.4 卷式滚筒生产
8.4 微小孔互连结构技术
8.4.1 埋/盲孔互连结构
8.4.2 在连接盘中设置导通孔和堵塞通孔
8.5 孔化电镀技术
8.5.1 直接电镀技术
8.5.2 脉冲电镀技术
8.5.3 全板电镀
8.6 电气测试技术
8.6.1 针床测试
8.6.2 移动探针测试
8.6.3 通用无夹具测试
8.6.4 电子束测试
第9章 高密度互连积层板制造技术
9.1 制造工艺概况
9.1.1 BUM工艺的提出
9.1.2 BUM制造技术概述
9.1.3 BUM导通孔形成方法概述
9.2 激光成孔
9.2.1 CO_2激光烧蚀微小孔
9.2.2 UV激光蚀刻微小孔
9.3 光致成孔
9.3.1 液态感光绝缘树脂材料形成导通孔工艺
9.3.2 干膜感光绝缘树脂材料形成导通孔工艺
9.3.3 液态和干膜感光绝缘树脂材料的优点对比
9.4 等离子体成孔
9.4.1 等离子体及应用
9.4.2 等离子体蚀刻导通孔工艺
9.4.3 等离子体蚀刻微导通孔的控制与特点
9.5 射流喷砂成孔
9.5.1 射流喷砂法制造微小孔原理
9.5.2 工艺、设备和材料
9.5.3 结果与特点
9.6 BUM的孔化与电镀
9.6.1 微孔孔化与电镀的特征
9.6.2 微孔孔化电镀
9.6.3 微盲孔的孔化与电镀效果
9.7 ALIVH技术制造高密度互连的积层多层板
9.7.1 无芯板的BUM
9.7.2 ALIVH的制造工艺
9.7.3 ALIVH的特性与发展
9.8 B^2it技术制造高密度互连的积层多层板
9.8.1 B^2it的制造工艺
9.8.2 B^2it结构的BUM类型
9.8.3 B^2it板的特点
9.8.4 B^2it板的性能测试与评价
9.8.5 结论
9.9 高密度互连积层多层板的可靠性
9.9.1 BUM的微孔互连结构
9.9.2 BUM的可靠性测试
9.9.3 BUM可靠性的测试结果
9.10 PCB的平整度和表面涂敷技术
9.10.1 PCB平整度(或翘曲度)
9.10.2 可焊性表面涂敷
第10章 特性阻抗和集成元件板
10.1 PCB的特性阻抗高精度控制
10.1.1 PCB特性阻抗的提出
10.1.2 PCB中特性阻抗的设计
10.1.3 特性阻抗对基板材料的要求
10.1.4 PCB加工对Z_o的影响
10.1.5 特性阻抗值Z_o的测试
10.2 电磁干扰和电磁兼容
10.2.1 外部的电磁干扰
10.2.2 内部的电磁干扰
10.3 集成元件印制板
10.3.1 集成元件印制板的提出
10.3.2 平面电阻(电容)材料与结构
10.3.3 平面电阻的制造工艺
10.3.4 平面电阻的可靠性
10.3.5 集成元件印制板的优点与未来
10.4 元件全部埋入基板内部的系统集成封装
10.4.1 后SMT和后SoC封装技术
10.4.2 电子元器件及封装的发展动向
10.4.3 片式元件向陶瓷复合制品方向发展
10.4.4 芯片硅基板上也能集成无源元件
10.4.5 埋置元件的基板正推广到有机系统
10.4.6 埋置有源及无源器件的系统集成封装基板已有产品问世
10.4.7 需要解决的问题
附录A 高密度多层基板技术常用缩略语
附录B 常用计量单位(新旧)对照换算
参考文献
前言
第1章 印制线路板概述
1.1 印制线路板的发展经历
1.1.1 摇篮期
1.1.2 发展期
1.1.3 多层板期
1.1.4 积层多层板期
1.2 多层印制电路板的种类及结构
1.2.1 PCB和PWB
1.2.2 PCB的分类
1.2.3 立体连接方式
1.2.4 多层印制电路板的结构
1.3 多层印制电路板的电气特征
1.3.1 导体电阻
1.3.2 绝缘电阻
1.3.3 特性阻抗及传输速度
1.3.4 交调噪声
1.3.5 电磁波屏蔽及其他特性
1.4 电镀通孔多层印制线路板
1.4.1 电镀通孔工艺
1.4.2 减成法
1.4.3 加成法
1.4.4 盲孔、埋孔层间连接
1.4.5 顺次积层法
1.5 积层多层印制线路板
1.5.1 电镀方式各种积层法的比较
1.5.2 涂树脂铜箔方式
1.5.3 热固性树脂方式
1.5.4 感光性树脂方式
1.5.5 其他采用电镀的积层方式
1.5.6 采用导电浆料的积层方式
1.5.7 一次积层工艺
1.5.8 芯板及表面的平坦化
1.5.9 多层间的连接方式
1.6 电子基板产业的发展战略
1.6.1 电子基板产业发展的三个方面
1.6.2 战略性开发的把握
1.6.3 工艺性开发的把握
第2章 高密度电子封装
2.1 电子封装的基本概念
2.1.1 定义
2.1.2 范围
2.1.3 功能
2.1.4 分类
2.2 电子封装发展的驱动力及发展概况
2.2.1 电子封装技术发展简介
2.2.2 带动电子封装发展的第一个车轮——半导体芯片性能的不断提高
2.2.3 带动电子封装发展的第二个车轮——电子设备迅速轻、薄、短、小化
2.2.4 电子封装技术领域中的两次重大变革
2.2.5 电子封装的发展动向及第三次重大变革
2.3 电子封装的技术课题
2.3.1 信号的高速传输
2.3.2 高效率冷却
2.3.3 高密度化
2.3.4 防止电磁波干扰技术
2.4 从电子封装技术到电子封装工程
2.4.1 电子封装技术的体系与范围
2.4.2 电子封装工程的主要课题
2.4.3 电子封装材料
2.5 多芯片组件(MCM)
2.5.1 MCM的历史、种类及其特征
2.5.2 MCM的制作工艺——以MCM-D为例
2.5.3 MCM的发展趋势
2.6 CSP——芯片级封装
2.6.1 CSP的定义及特征
2.6.2 挠性基板μBGA
2.6.3 陶瓷封装基板LGA型CSP(C-CSP)
2.6.4 薄膜型CSP
2.6.5 少端子CSP-BCC
2.6.6 D^2BGA型CSP
2.6.7 叠片式CSP
2.6.8 Super CSP和MOST
2.6.9 CSP的最新进展及发展动向
2.6.10 CSP有待研究和开发的课题
2.7 三维封装
2.7.1 三维封装的分类
2.7.2 封装叠层的三维封装
2.7.3 芯片叠层的三维封装
2.7.4 硅圆片叠层的三维封装
2.8 半导体封装技术的发展趋势
2.8.1 封装的作用及电子封装工程的地位
2.8.2 半导体封装技术的现状及动向
2.8.3 主要半导体封装技术的发展趋势
2.8.4 今后的课题
第3章 无机封装基板
3.1 陶瓷基板概论
3.1.1 作为陶瓷基板应具备的条件
3.1.2 陶瓷基板的制作方法
3.1.3 陶瓷基板的金属化
3.2 各类陶瓷基板
3.2.1 氧化铝基板
3.2.2 莫来石基板
3.2.3 氮化铝(AIN)基板
3.2.4 碳化硅(SIC)基板
3.2.5 氧化钹(BeO)基板
3.3 低温共烧陶瓷(LTCC)多层基板
3.3.1 LTCC基板应具有的性能
3.3.2 玻璃陶瓷材料
3.3.3 LTCC的制作方法及烧结特征
3.3.4 LTCC多层基板的应用
3.3.5 LTCC多层基板的发展动向
3.4 其他类型的无机基板
3.4.1 LCD用玻璃基板
3.4.2 PDP用玻璃基板
3.5 复合基板
3.5.1 复合基板(I)——功能复合
3.5.2 复合基板(Ⅱ)——结构复合
3.5.3 复合基板(Ⅲ)——材料复合
第4章 高密度封装基板及其新课题
4.1 高密度封装基板在携带型电子产品中的应用
4.1.1 在移动电话中的应用
4.1.2 在笔记本电脑中的应用
4.1.3 在携带型摄像机中的应用
4.2 高密度多层基板中的精细工艺技术
4.2.1 导体尺寸的微细化
4.2.2 导体尺寸的精度化
4.2.3 加工技术的精细化控制和自动化生产
4.2.4 实用高密度封装基板举例
4.3 高频基板材料
4.3.1 高频PCB市场的新发展
4.3.2 影响基板材料介电特性的主要因素
4.3.3 高频用各类树脂基板材料的性能和特点
4.3.4 高频基板材料的未来发展
4.4 绿色基板材料
4.4.1 绿色基板问题的提出
4.4.2 聚合物阻燃机理及阻燃剂
4.4.3 绿色CCL的开发思路和技术路线
4.4.4 无卤化涂树脂铜箔和半固化片材料
4.5 电子封装中的无铅化
4.5.1 世界范围内电子封装无铅化趋势
4.5.2 日本的无铅化现状
4.5.3 无铅焊料及钎焊工艺
4.5.4 导电胶连接技术
4.5.5 积极应对无铅化的发展形势
4.6 纳米材料在封装基板中的应用
4.6.1 纳米复合材料技术的迅速发展
4.6.2 在覆铜板制造技术中应用的发展趋势
4.6.3 纳米高分子复合材料在性能上的提高
4.6.4 中国台湾纳米材料在覆铜板中应用的研究成果
4.7 印制线路板制造技术10年内的发展预测
4.7.1 对印制线路板制造技术的要求
4.7.2 适应高密度封装、高速及高频信号的使用要求
4.7.3 适应无卤化的要求
4.7.4 适应埋入无源及有源器件的系统集成封装的要求
4.7.5 适应搭载新功能器件的要求
4.7.6 适应低价格的要求
4.7.7 适应更短供货期的要求
第5章 封装用一般有机基板材料
5.1 有机封装基板材料的发展
5.1.1 有机封装基板
5.1.2 有机封装基板材料的发展特点
5.2 对基板材料的主要性能要求
5.2.1 与陶瓷材料相比的特点
5.2.2 主要性能要求
5.2.3 不同类型封装对基板材料性能需求的侧重点
5.3 有机封装基板用基板材料的分类与主要标准
5.3.1 概述
5.3.2 有机封装基板用基材的分类
5.3.3 主要标准
5.4 制造基板材料的主要原材料
5.4.1 铜箔
5.4.2 玻璃纤维布
5.4.3 芳酰胺纤维无纺布
5.5 一般环氧玻璃布基的基板材料
5.5.1 概述
5.5.2 制造用主要化工原材料
5.5.3 制造中的工艺技术
5.5.4 环氧玻璃布基半固化片
5.6 高T_g、低α、低ε树脂的基板材料
5.6.1 聚酰亚胺树脂的基板材料
5.6.2 BT树脂的基板材料
5.6.3 PPE树脂的基板材料
第6章 带载型封装用挠性基板材料
6.1 引言
6.2 挠性覆铜箔聚酰亚胺薄膜基材
6.2.1 挠性覆铜箔基材的产品结构
6.2.2 聚酰亚胺薄膜
6.2.3 有胶粘剂型与无胶粘剂型挠性覆铜箔板
6.3 卷状环氧玻璃布基挠性覆铜箔板
6.3.1 产品概述
6.3.2 产品主要性能
6.4 液晶聚合物覆铜箔板
6.4.1 液晶聚合物将成为未来封装用新型基材
6.4.2 LCP的主要特性
第7章 封装用积层多层板基材
7.1 概述
7.1.1 分类
7.1.2 各类基材在制造BUM中的工艺过程
7.1.3 经济性对比
7.1.4 基材所用树脂
7.1.5 绝缘层形成的工艺方法
7.2 感光性绝缘材料
7.2.1 基材特性
7.2.2 产品形态
7.2.3 产品品种与性能
7.2.4 树脂体系及其性能保证
7.3 热固性树脂材料
7.3.1 基材特性
7.3.2 产品品种与性能
7.3.3 树脂体系及其性能保证
7.4 附树脂铜箔基材
7.4.1 基材特性
7.4.2 与RCC相关的IPC标准
7.4.3 产品品种与性能
第8章 高密度互连多层板芯板制造技术
8.1 机械钻微小孔技术
8.1.1 机械钻微小孔面临着挑战
8.1.2 机械钻微小孔的策略
8.1.3 机械钻孔生产率与成本
8.2 精细导线/间距技术
8.2.1 薄或超薄铜箔基材的精细表面处理
8.2.2 薄型抗蚀剂
8.2.3 精细图形底片
8.2.4 曝光与显影
8.2.5 激光刻像技术
8.2.6 蚀刻技术
8.2.7 精细线宽/间距的AOI检测
8.3 薄型化技术
8.3.1 薄型多层板
8.3.2 薄型基板材料
8.3.3 薄型基板材料的处理技术
8.3.4 卷式滚筒生产
8.4 微小孔互连结构技术
8.4.1 埋/盲孔互连结构
8.4.2 在连接盘中设置导通孔和堵塞通孔
8.5 孔化电镀技术
8.5.1 直接电镀技术
8.5.2 脉冲电镀技术
8.5.3 全板电镀
8.6 电气测试技术
8.6.1 针床测试
8.6.2 移动探针测试
8.6.3 通用无夹具测试
8.6.4 电子束测试
第9章 高密度互连积层板制造技术
9.1 制造工艺概况
9.1.1 BUM工艺的提出
9.1.2 BUM制造技术概述
9.1.3 BUM导通孔形成方法概述
9.2 激光成孔
9.2.1 CO_2激光烧蚀微小孔
9.2.2 UV激光蚀刻微小孔
9.3 光致成孔
9.3.1 液态感光绝缘树脂材料形成导通孔工艺
9.3.2 干膜感光绝缘树脂材料形成导通孔工艺
9.3.3 液态和干膜感光绝缘树脂材料的优点对比
9.4 等离子体成孔
9.4.1 等离子体及应用
9.4.2 等离子体蚀刻导通孔工艺
9.4.3 等离子体蚀刻微导通孔的控制与特点
9.5 射流喷砂成孔
9.5.1 射流喷砂法制造微小孔原理
9.5.2 工艺、设备和材料
9.5.3 结果与特点
9.6 BUM的孔化与电镀
9.6.1 微孔孔化与电镀的特征
9.6.2 微孔孔化电镀
9.6.3 微盲孔的孔化与电镀效果
9.7 ALIVH技术制造高密度互连的积层多层板
9.7.1 无芯板的BUM
9.7.2 ALIVH的制造工艺
9.7.3 ALIVH的特性与发展
9.8 B^2it技术制造高密度互连的积层多层板
9.8.1 B^2it的制造工艺
9.8.2 B^2it结构的BUM类型
9.8.3 B^2it板的特点
9.8.4 B^2it板的性能测试与评价
9.8.5 结论
9.9 高密度互连积层多层板的可靠性
9.9.1 BUM的微孔互连结构
9.9.2 BUM的可靠性测试
9.9.3 BUM可靠性的测试结果
9.10 PCB的平整度和表面涂敷技术
9.10.1 PCB平整度(或翘曲度)
9.10.2 可焊性表面涂敷
第10章 特性阻抗和集成元件板
10.1 PCB的特性阻抗高精度控制
10.1.1 PCB特性阻抗的提出
10.1.2 PCB中特性阻抗的设计
10.1.3 特性阻抗对基板材料的要求
10.1.4 PCB加工对Z_o的影响
10.1.5 特性阻抗值Z_o的测试
10.2 电磁干扰和电磁兼容
10.2.1 外部的电磁干扰
10.2.2 内部的电磁干扰
10.3 集成元件印制板
10.3.1 集成元件印制板的提出
10.3.2 平面电阻(电容)材料与结构
10.3.3 平面电阻的制造工艺
10.3.4 平面电阻的可靠性
10.3.5 集成元件印制板的优点与未来
10.4 元件全部埋入基板内部的系统集成封装
10.4.1 后SMT和后SoC封装技术
10.4.2 电子元器件及封装的发展动向
10.4.3 片式元件向陶瓷复合制品方向发展
10.4.4 芯片硅基板上也能集成无源元件
10.4.5 埋置元件的基板正推广到有机系统
10.4.6 埋置有源及无源器件的系统集成封装基板已有产品问世
10.4.7 需要解决的问题
附录A 高密度多层基板技术常用缩略语
附录B 常用计量单位(新旧)对照换算
参考文献
Substrates for High Density Package
- 名称
- 类型
- 大小
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