Electronic Packaging Technology

《新材料及在高技术中的应用丛书》序言

前言

第1章 电子封装工程概述

1．1 电子封装工程的定义及范围

1．1．1 定义

1．1．2 范围

1．1．3 功能

1．1．4 分类

1．2 技术课题

1．2．1 信号的高速传输

1．2．2 高效率冷却

1．2．3 高密度化

1．2．4 防止电磁波干扰技术

1．3 从电子封装技术到电子封装工程

1．3．1 电子封装技术的体系与范围

1．3．2 电子封装工程的主要课题

1．3．2 电子封装材料

1．3．4 电子封装发展的国内外现状

1．4 工程问题

1．5 电子封装工程的发展趋势

.1. 6 我国应该高度重视电子封装产业

第2章 电子封装工程的演变与进展

2．1 20世纪电子封装技术发展的回顾

2．1．1 电子封装技术发展历程简介

2．1．2 电子管安装时期(1900-1950年)

2．1．3 晶体管封装时期(1950-1960年)

2．1．4 元器件插装(tht)时期(1960-1975年)

2．1．5 表面贴装(smt)时期(1975年-)

2．1．6 高密度封装时期(20世纪90年代初-)

2．2 演变与进展的动力之一：从芯片的进步看

2．2．1 集成电路的发展历程和趋势

2．2．2 集成度与特征尺寸

2．2．3 mpu时钟频率的提高

2．2．4 集成度与输入／输出(i／o)端子数

2．2．5 芯片功耗与电子封装

2．2．6 半导体集成电路的发展预测

2．3 演变与发展的动力之二：从电子设备的发展看

2．3．1 便携电话

2．3．2 笔记本电脑

2．3．3 摄像一体型vtr

2．4 电子封装技术领域中的两次重大变革

2．4．1 从插入式到表面贴装--第一次重大变革

2．4．2 从四边引脚的qfp到平面阵列表面贴装--第二次重大变革

2．4．3 电子封装的第三次重大变革

2．4．4 逻辑器件和存储器件都对电子封装提出更高要求

2．4．5 电子封装的发展动向

2．5 多芯片组件(mcm)

2．5．1 mcm的历史、种类及其特征

2．5．2 mcm的制作工艺--以mcm-d为例

2．5．3 mcm的发展趋势

2．6 sip与soc

2．6．1 何谓sip和soc

2．6．2 单芯片路线遇到壁垒

2．6．3 sip和soc的竞争

2．6．4 sip的发展过程

2．6．5 对sip提出的疑问

2．6．6 sip面临的挑战

2．6．7 sip的标准化动向

2．7 半导体封装技术的发展预测

2．7．1 封装的作用及电子封装工程的地位

2．7．2 半导体封装技术的现状及动向

2．7．3 主要半导体封装技术的发展趋势

2．7．4 今后的课题

第3章 薄膜材料与工艺

3．1 电子封装工程中至关重要的膜材料及膜技术

3．1．1 薄膜和厚膜

3．1．2 膜及膜电路的功能

3．1．3 成膜方法

3．1．4 电路图形的形成方法

3．1．5 膜材料

3．2 薄膜材料

3．2．1 导体薄膜材料

3．2．2 电阻薄膜材料

3．2．3 介质薄膜材料

3．2．4 功能薄膜材料

第4章 厚膜材料与工艺

4．1 厚膜材料

4．1．1 厚膜导体材料

4．1．2 厚膜电阻材料

4．1．3 厚膜介质材料

4．1．4 厚膜功能材料

4．2 厚膜工艺

4．2．1 厚膜成膜技术

4．2．2 丝网印刷方法

4．2．3 丝网印刷工艺

4．2．4 表面贴装技术(smt)中电极焊膏的丝网印刷

4．2．5 图形描画法

4．3 电阻修边(调阻值)

4．3．1 修边的必要性及其对象

4．3．2 考虑修边需要的厚膜电阻设计

4．3．3 单个元件的各种修边方法

4．3．4 激光修边工艺特性

4．3．5 功能修边

4．3．6 喷沙修边的其他应用

第5章 基板技术(i)--有机基板

5．1 封装基板概述

5．1．1 发展动向

5．1．2 性能要求

5．2 封装基板分类

5．2．1 按基材分类

5．2．2 按结构分类

5．2．3 通用pwb--单面板、双面板和多层板

5．2．4 多层印制线路板的结构

5．3 多层印制线路板的电气特征

5．3．1 导体电阻

5．3．2 绝缘电阻

5．3．3 特性阻抗及传输速度

5．3．4 交调噪声

5．3．5 电磁波屏蔽(emi)及其他特性

5．4 电镀通孔多层印制线路板

5．4．1 制作方法概述

5．4．2 减成法

5．4．3 加成法

5．4．4 盲孔(blind via)、埋孔(buried via)层间连接(ivh)

5．4．5 顺次积层法

5．5 积层多层印制线路板

5．5．1 发展过程

5．5．2 电镀方式各种积层法的比较

5．5．3 涂树脂铜箔(rcc)方式

5．5．4 热固性树脂方式

5．5．5 感光性树脂方式

5．5．6 其他采用电镀的积层方式

5．5．7 采用导电浆料的积层方式

5．5．8 一次积层工艺

5．5．9 芯板及表面的平坦化

5．5．10 多层间的连接方式

5．5．11 积层多层印制线路板用绝缘材料

5．5．12 各种激光制孔方式对比

5．5．13 可靠性试验

第6章 基板技术(ii)--陶瓷基板

6．1 陶瓷基板概论

6．1．1 陶瓷基板应具备的条件

6．1．2 陶瓷基板的制作方法

6．1．3 陶瓷基板的金属化

6．2 各类陶瓷基板

6. 2．1 氧化铝基板

6．2．2 莫来石基板

6．2．3 氮化铝基板

6．2．4 碳化硅基板

6．2．5 氧化铍基板

6．3 低温共烧陶瓷多层基板(ltcc)

6．3．1 ltcc基板应具有的性能

6．3．2 玻璃陶瓷材料

6．3．3 ltcc的制作方法及烧结特征

6．3．4 ltcc多层基板的应用

6．3．5 ltcc多层基板的发展动向

6．4 其他类型的无机基板

6．4．1 液晶显示器(lcd)用玻璃基板

6．4．2 等离子体显示板(pdp)用玻璃基板

6．5 复合基板

6．5．1 复合基板(i)--功能复合

6．5．2 复合基板(ii)--结构复合

6．5．3 复合基板(iii)--材料复合

第7章 微互联技术

7．1 微互联技术与封装

7．2 钎焊材料及其浸润性

7．2．1 各种钎焊材料及其浸润性

7．2．2 焊料浸润性的定义及评价方法

7．3 插入实装及表面贴装技术(微钎焊技术)

7．3．1 流焊技术(插入实装／单面、双面混载实装技术)

7．3．2 整体回流焊技术(双面表面贴装技术)

7．3．3 局部回流焊技术

7．3．4 封装裂纹问题及曼哈顿现象(墓碑现象)

7．3．5 焊剂应用及清洗技术

7．4 表面贴装技术(微钎焊技术)的发展动向

7．4．1 窄节距qfp及tcp实装技术的发展动向

7．4．2 面阵列csp／bga实装技术

7．4．3 无铅焊料及相关技术

7．5 裸芯片微组装技术

7．5．1 各种裸芯片微组装技术及其特征

7．5．2 mcm中裸芯片微组装的成品率及电气性能检测

7．5．3 引线连接(wb)技术

7．5．4 带载自动键合(tab)技术

7．6 倒装焊微互联(fcb)技术

7．6．1 倒装焊微互联技术的必要性

7．6．2 金凸点和焊料凸点的形成--硅圆片电镀凸点技术

7．6．3 各种倒装微互联技术

7．6．4 倒装焊的主要类型：c4和dca

7．7 压接倒装互联技术

7．7．1 各种压接倒装互联技术

7．7．2 钉头凸点互联(sbb)技术

7．7．3 多层基板上形成凸点的倒装压接技术(b2it+fca)

7．7．4 微互联电阻的测量方法(四端子测量法)

第8章 封装技术

8．1 封装技术简介

8．1．1 封装的必要性

8．1．2 各种封装技术及其特征

8．2 非气密性树脂封装技术

8．2．1 传递模注塑封技术

8．2．2 各种树脂封装技术

8．2．3 树脂封装中湿气浸入路径及防止措施

8．2．4 树脂封装成形缺陷及防止措施

8．2．5 树脂封装中的故障和损伤

8．3 气密性封装技术

8．3．1 气密性封装法中泄漏率的检测方法

8．3．2 钎焊气密封接技术

8．3．3 缝焊封接技术

8．3．4 激光熔焊封接技术

8．4 封装模块的可靠性

8．4．1 封装模块的初期不良和寿命

8．4．2 mcm模块的故障率分析

8. 4．3 mcm模块的各种可靠性试验

8．5 封装技术要素及封装材料物性

8．5．1 封装技术要素

8．5．2 封装材料物性

第9章 bga与csp

9．1 球栅阵列封装(bga)--更适合多端子lsi的表面贴装式封装

9．1．1 美国厂家采用bga的理由

9．1．2 塑封bga的应用现状

9．1．3 塑封bga的发展趋势

9．1．4 如何检验塑封bga

9．1．5 使用塑封bga应注意的问题

9．1．6 bga概念的形成

9．2 bga的类型

9．2．1 塑封球栅平面阵列封装(pbga)

9．2．2 陶瓷球栅平面阵列封装(cbga)

9．2．3 陶瓷柱栅平面阵列封装(ccga)

9．2．4 带载球栅平面阵列封装(tbga)

9．3 csp--芯片级封装

9．3．1 csp的定义及特征

9．3．2 各具特色的csp结构

9．3．3 csp的最新进展及发展动向

9．3．4 csp有待研究和开发的课题

第10章 电子封装的分析、评价及设计

10．1 膜检测及评价技术

10．1．1 膜检测及评价的必要性

10．1．2 膜的互扩散

10．1．3 膜的内应力

10．2 信号传输特性的分析技术

10．2．1 布线电气特性分析基础

10．2．2 各种实装形态及电气信号传输特性的比较

10．2．3 交叉噪声(串扰)分析

10．2．4 b2it多层板与ivh多层板电气特性的比较

10．3 热分析及散热设计技术

10．3．1 热分析及散热设计基础

10．3．2 搭载奔腾芯片的mcm定常热分析实例

10．3．3 mcm非定常热分析实例

10．3．4 b2it多层板散热特性的分析实例

10．4 结构分析技术

10．4．1 结构分析基础及bga／csp／fc封装中的结构分析实例

10．4．2 带蓝宝石窗的mcm结构分析实例

第11章 超高密度封装的应用和发展

11．1 便携电子设备中的封装技术

11．1．1 移动电话(手机)中采用的封装技术

11．1．2 数码摄像照相机中的封装技术

11．1．3 笔记本电脑中的封装技术

11．1．4 便携电子设备中封装的技术课题

11．2 超级计算机中的封装技术

11．2．1 超级计算机中封装技术概况

11．2．2 回路基板及实装技术

11．2．3 超级计算机封装的共同特征及发展前景

11．3 高密度封装技术：asic+ra+mcm

11．4 极高密度的三维电子封装技术

11．4．1 电子封装从二维向三维立体封装发展

11．4．2 裸芯片的三维封装技术

11．4．3 封装体的三维封装技术

11．4．4 mcm的三维封装技术

11．4．5 硅圆片规模的三维封装技术

11．4．6 系统封装构想

11．5 实现系统集成的三维模块封装

11．5．1 三维模块封装的发展背景

11．5．2 三维模块封装的目标和课题

11．5．3 simpact--实现三维模块封装的有效方式

11．5．4 实现simpact的三大关键技术

11．5．5 simpact关键技术开发

11．5．6 simpact的特点和应用

附录1 电子封装常用术语注释

附录2 电子封装缩略语及常用词汇集

附录3 (新旧)常用计量单位对照与换算

参考文献