半导体材料

第三版前言
前言
绪论
第1章 硅和锗的化学制备
1.1 硅和锗的物理化学性质
1.2 高纯硅的制备
1.3 锗的富集与提纯
第2章 区熔提纯
2.1 分凝现象与分凝系数
2.2 区熔原理
2.3 锗的区熔提纯
第3章 晶体生长
3.1 晶体生长理论基础
3.2 熔体的晶体生长
3.3 硅、锗单晶生长
第4章 硅、锗晶体中的杂质和缺陷
4.1 硅、锗晶体中杂质的性质
4.2 硅、锗晶体的掺杂
4.3 硅、锗单晶的位错
4.4 硅单晶中的微缺陷
第5章 硅外延生长
5.1 外延生长概述
5.2 硅衬底制备
5.3 硅的气相外延生长
5.4 硅外延层电阻率的控制
5.5 硅外延层的缺陷
5.6 硅的异质外延
第6章 Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体
6.1 Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体的特性
6.2 砷化镓单晶的生长方法
6.3 砷化镓单晶中杂质的控制
6.4 砷化镓单晶的完整性
6.5 其他Ⅲ—Ⅴ族化合物的制备
第7章 Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体的外延生长
7.1 气相外延生长（VPE）
7.2 金属有机物气相外延生长（MOVPE）
7.3 液相外延生长（LPE）
7.4 分子束外延生长（MBE）
7.5 化学柬外延生长（CBE）
7.6 其他外延生长技术
第8章 Ⅲ—Ⅴ族多元化合物半导体
8.1 异质结与晶格失配
8.2 GaAlAs外延生长
8.3 InGaN外延生长
8.4 InGaAsP外延生长
8.5 超晶格与量子阱
8.6 应变超晶格
8.7 能带工程
第9章 Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体
9.1 Ⅱ—Ⅵ族化合物单晶材料的制备
9.2 Ⅱ—Ⅵ族化合物的点缺陷与自补偿现象
9.3 Ⅱ—Ⅵ族多元化合物材料
9.4 Ⅱ—Ⅵ族超晶格材料
第10章 低维结构半导体材料
10.1 低维结构半导体材料的基本特性
10.2 低维结构半导体材料的制备
10.3 低维结构半导体材料的现状及未来
第11章 氧化物半导体材料
11.1 氧化物半导体材料的制备
11.2 氧化物半导体材料的电学性质
11.3 氧化物半导体材料的应用
第12章 照明半导体材料
12.1 LED的基本结构
12.2 外延生长GaN衬底材料的选择
12.3 外延生长的发展趋势
12.4 外延片结构改进
第13章 其他半导体材料
13.1 窄带隙半导体
13.2 黄铜矿型半导体
13.3 非晶态半导体材料
13.4 有机半导体材料
参考文献