Fundamentals of surface and thinfilm analysis

目录
写在中译本出版之前
译者的话
作者序
本书中使用的符号
第1章 综述：概念、单位与Bohr原子
§1．1 引论
§1．2 能量、单位与粒子
§1．3 波粒二象性与晶格间距
§1．4 Bohr模型
问题
参考资料
第2章 原子碰撞与背散射谱
§2．1 引论
§2．2 弹性散射的运动学
§2．3 Rutherford背散射谱——实例
§2．4 散射截面与碰撞参数
§2．5 中心力散射
§2．6 散射截面：二体情形
§2．7 低能与高能情形对Rutherford散射的偏离
§2．8 低能离子散射（LEIS）
§2．9 前向反冲谱
§2．10 质心系到实验室系的坐标变换
问题
参考资料
第3章 轻离子的能量损失和背散射深度剖面
§3．1 引论
§3．2 能量损失的一般介绍及其单位
§3．3 MeV级的轻离子在固体中的能量损失
3．3．1 适用的能量范围
3．3．2 推导dE/dx
3．3．3 电子能量损失与核能量损失的比较
§3．4 化合物中的能量损失—Bragg定则
§3．5 背散射中的能量宽度
§3．6 背散射谱的谱形
§3．7 Rutherford散射的深度剖面
§3．8 深度分辨能力与能量损失离散
3．8．1 掠射角技术
3．8．2 离散
§3．9 氢与氘的深度剖面
§3．10 H与He离子的射程
§3．11 溅射及其灵敏度极限
§3．12 散射关系概要
问题
参考资料
第4章 溅射深度剖面与次级离子质谱
§4．1 引论
§4．2 离子轰击溅射——一般概念
§4．3 核能量损失
§4．4 溅射产额
§4．5 次级离子质谱（SIMS）
§4．6 次级中性质谱（SNMS）
§4．7 择优溅射与深度剖面
§4．8 界面展宽和离子混杂
§4．9 原子的Thomas—Fermi统计模型
问题
参考资料
第5章 沟道效应
§5．1 引论
§5．2 单晶中的沟道效应
§5．3 杂质在晶格中的位置
§5．4 沟道效应通量分布
§5．5 表面相互作用的二原子模型
§5．6 表面峰
§5．7 衬底遮蔽作用：Ag（111）上外延Au
§5．8 外延生长
§5．9 薄膜分析
问题
参考资料
第6章 电子—电子相互作用与电子谱的深度灵敏度
§6．1 引论
§6．2 电子谱：能量分析
§6．3 逃逸深度与探测体积
§6．4 非弹性电子—电子碰撞
§6．5 电子碰撞电离截面
§6．6 等离子激元
§6．7 电子平均自由程
§6．8 薄膜的表面形貌对电子衰减的影响
6．8．1 逐层生长
6．8．2 单层加成岛式
6．8．3 成岛式
6．8．4 淀积原子的分布
§6．9 电子在固体中的射程
§6．10 电子能量损失谱（EELS）
§6．11 轫致辐射
问题
参考资料
第7章 表面结构
§7．1 引论
§7．2 衍射参数
§7．3 热振动与Debye—Waller因子
§7．4 低能电子衍射（LEED）
§7．5 掠射角X射线衍射
§7．6 透射电子显微镜
问题
参考资料
第8章 固体中的光子吸收与EXAFS
§8．1 引论
§8．2 Schrodinger方程
§8．3 波函数
8．3．1 平面波（V＝0）
8．3．2 类氢波函数[V（r）＝－Ze2/r]
§8．4 量子数、电子组态与符号
§8．5 跃迁几率
§8．6 光电效应——方阱近似
§8．7 类氢原子的光电跃迁几率
§8．8 X射线吸收
§8．9 广延X射线吸收精细结构（EXAFS）
§8．10 与时间有关的微扰理论
8．10．1 Fermi黄金定则
8．10．2 振荡电场中的跃迁几率
8．10．3 自发跃迁
问题
参考资料
第9章 X射线光电子谱（XPS）
§9．1 引论
§9．2 实验
9．2．1 辐射源
9．2．2 电子谱仪
§9．3 光电子动能
§9．4 光电子能谱
§9．5 结合能与终态效应
§9．6 结合能位移；化学位移
§9．7 定量分析
问题
参考资料
第10章 辐射跃迁与电子微探针
§10．1 引论
§10．2 X射线谱的术语
§10．3 偶极选择定则
§10．4 电子微探针
§10．5 自发发射跃迁率
§10．6 Ni中Kα发射的跃迁率
§10．7 电子微探针：定量分析
10．7．1 定量分析
10．7．2 校正因子
§10．8 质子（和氦）感生X射线发射（PIXE）
§10．9 辐射跃迁几率的计算
§10．10 比值Kβ/Kα的计算
问题
参考资料
第11章 非辐射跃迁与Auger电子谱
§11．1 引论
§11．2 Auger跃迁
11．2．1 术语
11．2．1．1 KL1L1
11．2．1．2 KL1L2或KL1L3
11．2．1．3 KL2L2、KL2L3、KL3L3跃迁
11．2．2 能量
11．2．3 化学位移
11．2．4 类氢原子中Auger跃迁几率的估算：KLL跃迁
§11．3 Auger电子产额与荧光产额
§11．4 原子能级的宽度与寿命
§11．5 Auger电子谱
§11．6 定量分析
§11．7 Auger深度剖面
问题
参考资料
第12章 核技术：活化分析与瞬发辐射分析
§12．1 引论
§12．2 Q值与动能
§12．3 放射性衰变
12．3．1 β衰变
12．3．2 r衰变
§12．4 放射性衰变定律
§12．5 放射性核素的产生
§12．6 活化分析
§12．7 瞬发辐射分析
12．7．1 能量分析法
12．7．1．1 热中子感生反应
12．7．1．2 荷电粒子感生反应
12．7．2 共振法
问题
参考资料
附录1 入射粒子为4He，靶原子量M2为整数的运动学因子KM2
附录2 元素对1MeV 4He的Rutherford散射截面
附录3 4He的阻止截面
附录4 原子的电子组态和电离势
附录5 电子的结合能（eV）
附录6A X射线波长（以A为单位）
附录6B 密度与质量吸收系数
附录7 KLL Auger能量
附录8 元素表
附录9 K、L及M壳层的荧光产额
附录10 物理常数、相互关系及单位转换
缩略语表
索引
表面分析技术