半导体物理与器件[电子资源.图书]
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ISBN:9787504512512
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简介
目录
绪论
第一章 量子物理基础
1-1 原子的结构
1-2 原子壳层结构
1-3 电子运动的轨道理论(玻尔理论)
本章小结
习题
第二章 晶体的结构与能带
2-1 晶体的结构
2-2 晶体中原子的结合
2-3 电子的共有化运动与能带
2-4 半导体晶体的缺陷
本章小结
习题
第三章 半导体中的杂质
3-1 本征半导体
3-2 掺杂半导体
3-3 掺杂半导体在室温的载流子浓度
3-4 掺杂半导体的本征情况
3-5 费米能级
本章小结
习题
第四章 半导体中载流子的迁移现象
4-1 金属自由电子论
4-2 半导体中载流子的运动
4-3 电子与空穴的迁移率
本章小结
习题
第五章 非平衡载流子
5-1 非平衡载流子和非平衡少数载流子
5-2 非平衡载流子的复合与寿命
5-3 复合机理
5-4 非平衡载流子的扩散运动
本章小结
习题
第六章 P-N结与半导体二极管
6-1 P-N结的形成与能带图
6-2 P-N结的电流电压特性
6-3 P-N结的电容效应与变容二极管
6-4 P-N结的击穿特性
6-5 开关二极管
6-6 二极管的结构与主要参数
本章小结
习题
第七章 金属-半导体接触和半导体表面
7-1 金属-半导体接触
7-2 金属-半导体接触的整流特性
7-3 欧姆接触
7-4 半导体表面
本章小结
习题
第八章 半导体的光电与电光效应及器件
8-1 半导体的光吸收和光电导
8-2 P-N结光生伏特效应和光电池
8-3 光敏电阻
8-4 P-N结的光产生与发光二极管
8-5 半导体激光器
本章小结
习题
第九章 半导体的热磁声压电性质
9-1 半导体的热电效应与应用
9-2 半导体磁电效应
9-3 半导体的压阻效应
9-4 半导体载流子的相互作用
9-5 半导体的气敏特性
本章小结
习题
第十章 晶体管的直流特性
10-1 晶体管的基本结构、分类及命名
10-2 晶体管的放大作用
10-3 载流子在晶体管内的传输
10-4 晶体管的特性曲线
10-5 反向电流
10-6 晶体管的击穿电压
10-7 晶体管的基极电阻T_b、输入正向压降V_(BES)、饱和压降V_(CES)
本章小结
习题
第十一章 晶体管的频率特性
11-1 晶体管的电容
11-2 晶体管的交流特性
11-3 晶体管的交流电流放大系数
11-4 晶体管频率特性参数
本章小结
习题
第十二章 晶体管的功率特性
12-1 晶体管最高工作电压
12-2 集电极最大电流
12-3 晶体管的最大耗散功率
12-4 二次击穿
12-5 晶体管的安全工作区
本章小结
习题
第十三章 晶体管的开关特性
13-1 晶体管的开关作用
13-2 晶体管的开关过程
13-3 晶体管的开关时间参数
本章小结
习题
第十四章 场效应管
14-1 结型场效应管
14-2 MOS管
14-3 场效应管和晶体管的比较
本章小结
习题
第十五章 新型特殊器件
15-1 晶闸管
15-2 半导体敏感器件
本章小结
习题
实验一 晶体二极管的测量
实验二 晶体管主要直流参数的测量
实验三 场效应管的测量
第一章 量子物理基础
1-1 原子的结构
1-2 原子壳层结构
1-3 电子运动的轨道理论(玻尔理论)
本章小结
习题
第二章 晶体的结构与能带
2-1 晶体的结构
2-2 晶体中原子的结合
2-3 电子的共有化运动与能带
2-4 半导体晶体的缺陷
本章小结
习题
第三章 半导体中的杂质
3-1 本征半导体
3-2 掺杂半导体
3-3 掺杂半导体在室温的载流子浓度
3-4 掺杂半导体的本征情况
3-5 费米能级
本章小结
习题
第四章 半导体中载流子的迁移现象
4-1 金属自由电子论
4-2 半导体中载流子的运动
4-3 电子与空穴的迁移率
本章小结
习题
第五章 非平衡载流子
5-1 非平衡载流子和非平衡少数载流子
5-2 非平衡载流子的复合与寿命
5-3 复合机理
5-4 非平衡载流子的扩散运动
本章小结
习题
第六章 P-N结与半导体二极管
6-1 P-N结的形成与能带图
6-2 P-N结的电流电压特性
6-3 P-N结的电容效应与变容二极管
6-4 P-N结的击穿特性
6-5 开关二极管
6-6 二极管的结构与主要参数
本章小结
习题
第七章 金属-半导体接触和半导体表面
7-1 金属-半导体接触
7-2 金属-半导体接触的整流特性
7-3 欧姆接触
7-4 半导体表面
本章小结
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第八章 半导体的光电与电光效应及器件
8-1 半导体的光吸收和光电导
8-2 P-N结光生伏特效应和光电池
8-3 光敏电阻
8-4 P-N结的光产生与发光二极管
8-5 半导体激光器
本章小结
习题
第九章 半导体的热磁声压电性质
9-1 半导体的热电效应与应用
9-2 半导体磁电效应
9-3 半导体的压阻效应
9-4 半导体载流子的相互作用
9-5 半导体的气敏特性
本章小结
习题
第十章 晶体管的直流特性
10-1 晶体管的基本结构、分类及命名
10-2 晶体管的放大作用
10-3 载流子在晶体管内的传输
10-4 晶体管的特性曲线
10-5 反向电流
10-6 晶体管的击穿电压
10-7 晶体管的基极电阻T_b、输入正向压降V_(BES)、饱和压降V_(CES)
本章小结
习题
第十一章 晶体管的频率特性
11-1 晶体管的电容
11-2 晶体管的交流特性
11-3 晶体管的交流电流放大系数
11-4 晶体管频率特性参数
本章小结
习题
第十二章 晶体管的功率特性
12-1 晶体管最高工作电压
12-2 集电极最大电流
12-3 晶体管的最大耗散功率
12-4 二次击穿
12-5 晶体管的安全工作区
本章小结
习题
第十三章 晶体管的开关特性
13-1 晶体管的开关作用
13-2 晶体管的开关过程
13-3 晶体管的开关时间参数
本章小结
习题
第十四章 场效应管
14-1 结型场效应管
14-2 MOS管
14-3 场效应管和晶体管的比较
本章小结
习题
第十五章 新型特殊器件
15-1 晶闸管
15-2 半导体敏感器件
本章小结
习题
实验一 晶体二极管的测量
实验二 晶体管主要直流参数的测量
实验三 场效应管的测量
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