场效应晶体管射频微波建模技术

第1章 绪论1.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件及集成电路应用前景1.2 射频微波器件和电路的计算机辅助设计1.3 本书的目标和结构参考文献第2章 微波网络信号和噪声矩阵技术2.1 二端口网络的信号参数矩阵2.1.1 阻抗参数矩阵2.1.2 导纳参数矩阵2.1.3 混合参数矩阵2.1.4 ABCD参数矩阵2.1.5 二端口网络信号参数之间的关系2.2 微波网络S参数和T参数矩阵2.2.1 S参数矩阵2.2.2 T参数矩阵2.3 微波网络噪声矩阵技术2.3.1 阻抗噪声相关矩阵2.3.2 导纳噪声相关矩阵2.3.3 ABCD噪声相关矩阵2.3.4 S参数噪声相关矩阵2.3.5 T参数噪声相关矩阵2.3.6 噪声相关矩阵之间的关系2.3.7 二端口网络噪声参数之间的关系2.4 二端口网络的互联2.4.1 二端口网络的串联2.4.2 二端口网络的并联2.4.3 二端口网络的级联2.5 三端口网络和二端口网络之间的关系2.5.1 三端口网络和二端口网络S参数的关系2.5.2 三端口网络和二端口网络噪声参数的关系2.6 二端口网络的信号流程图2.6.1 信号流程图的定义2.6.2 信号流程图的性质2.6.3 Mason规则2.7 典型的π型和T型网络本章小结参考文献第3章 场效应晶体管小信号等效电路模型和参数提取技术3.1 HEMT器件工作原理3.2 FET器件小信号等效电路模型3.2.1 小信号等效电路模型3.2.2 元件和物理结构的关系3.2.3 特征频率和最大振荡频率3.3 典型的PHEMT器件结构3.4 PAD电容提取技术3.4.1 测试结构方法3.4.2 截止条件方法3.5 寄生电感提取技术3.5.1 测试结构方法3.5.2 正向偏置COLD-FET方法3.5.3 反向截止偏置方法3.6 寄生电阻提取技术3.6.1 直流测试方法3.6.2 COLD-FET S参数方法3.6.3 有源偏置方法3.6.4 关于负阻的讨论3.7 本征元件提取技术3.7.1 本征元件随频率变化3.7.2 本征元件和偏置的关系3.8 改进的反向截止方法3.9 小信号等效电路模型参数和器件栅宽的比例关系3.9.1 截止条件下电路模型参数和器件栅宽的比例关系3.9.2 寄生参数和器件栅宽之间的比例关系3.9.3 本征参数和器件栅宽之间的比例关系3.10 半分析模型参数提取技术本章小结参考文献第4章 场效应晶体管非线性等效电路模型及参数提取技术4.1 非线性物理基模型4.2 非线性测量基模型4.3 非线性经验分析模型4.4 常用的MESFET/HEMT非线性等效电路模型4.4.1 STATZ非线性等效电路模型4.4.2 TriQuint非线性等效电路模型4.4.3 Curtice非线性等效电路模型4.4.4 Tajima非线性等效电路模型4.4.5 Materka非线性等效电路模型4.4.6 Angelov非线性等效电路模型4.4.7 常用的高电子迁移率晶体管模型4.5 非线性等效电路模型精度比较4.5.1 直流特性精度比较4.5.2 射频大信号特性精度比较本章小结参考文献第5章 场效应晶体管噪声等效电路模型及参数提取技术5.1 HEMT/MESFET噪声模型综述5.1.1 FUKUI噪声模型5.1.2 PUCEL噪声模型5.1.3 POSPIESZALSKI温度噪声模型5.1.4 考虑栅极漏电流影响的噪声模型5.2 噪声模型参数和器件栅宽的比例关系5.2.1 噪声参数的表达式5.2.2 噪声参数和器件栅宽的比例关系5.2.3 噪声模型参数提取技术5.3 场效应晶体管噪声参数提取技术5.3.1 基于调谐器原理的噪声参数提取技术5.3.2 基于50Ω噪声测试系统的场效应晶体管噪声参数提取技术5.4 共栅、共漏和共源结构的场效应晶体管5.4.1 信号参数之间的关系5.4.2 噪声参数之间的关系5.4.3 理论验证和实验结果本章小结参考文献第6章 FET器件神经网络建模技术6.1 人工神经网络建模技术6.1.1 感知机神经网络6.1.2 多层感知机神经网络6.1.3 误差反向传播学习算法6.1.4 辐射激励函数网络6.2 神经网络基FET线性建模技术6.3 神经网络基非线性模型建模技术6.3.1 神经网络基PHEMT非线性模型建模技术6.3.2 神经网络基非线性模型训练方法6.3.3 神经网络基非线性模型训练结果6.4 神经网络微分和积分建模技术6.4.1 神经网络建模技术目前存在的问题6.4.2 三层感知机神经网络微分技术6.4.3 单输入三层感知机神经网络积分技术6.4.4 多输入三层感知机神经网络积分技术6.4.5 基于微分和积分建模技术的微波器件建模技术6.5 神经网络基噪声模型建模技术本章小结参考文献